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IRF3205ZSTRLPBF  与  IPB054N06N3 G  区别

型号 IRF3205ZSTRLPBF IPB054N06N3 G
唯样编号 A-IRF3205ZSTRLPBF A-IPB054N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V 4.4mΩ
上升时间 - 68ns
Qg-栅极电荷 - 82nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 47S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 9ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 115W
典型关闭延迟时间 - 32ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 24ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 158W 175°C 2.3V 55V 100A

暂无价格 90 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 203W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
IRL2505STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@54A,10V N-Channel 55V 104A D2PAK

暂无价格 0 对比
BUK7606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
IPB054N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

60V 80A 4.4mΩ 20V 115W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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